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AOSP66920是一款采用AOS AlphaSGT技术的N沟道MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和13.5A的连续漏极电流（Id）能力，为设计提供了充足的裕量。

该器件的突出特点是其极低的导通电阻，在10V Vgs、13.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为8.5毫欧，能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）较低，有利于实现高效率和高频开关操作。器件支持宽范围栅极驱动电压（4.5V-10V），并可在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，确保了在各种应用环境下的可靠性。

• 型号:AOSP66920
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AOSP66920，AOS产品一站式供应商。