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零件图片（仅供参考）
AO3422L_104
规格参数

AO3422L_104是一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于55V的漏源电压（Vdss）和2.1A的连续漏极电流能力，结合低至160毫欧（@4.5V Vgs）的导通电阻，能显著降低导通损耗。

器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为3.3nC，输入电容为300pF，支持快速的开关切换并降低驱动需求，兼容2.5V至4.5V的逻辑电平驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的可靠性，适用于DC-DC转换、电机控制及便携式设备的电源管理等领域。

  • 制造商产品型号：AO3422L_104
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：55V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.3nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3422L_104
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3422L_104的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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