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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT10T60PL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与10A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值仅为700毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，40nC的栅极电荷（Qg）与宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其在追求效率与可靠性的电源设计中具备良好的适用性。
基本参数：
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