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AO4435_201是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和10.5A的连续漏极电流（Id），为中等功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在20V Vgs和11A Id条件下，Rds(On)最大值仅为14毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为24nC（@10V），结合3V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)），确保了器件具备易于驱动和快速开关的特性，适合由低压逻辑电路直接控制。

此外，AO4435_201支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为3.1W，展现了良好的鲁棒性与热性能，适用于对空间和效率均有要求的电源管理及负载开关电路。

• 制造商产品型号：AO4435_201
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 11A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4435_201，AOS产品一站式供应商。