AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4443是一款采用表面贴装8-SOIC封装的P沟道功率MOSFET，由AOS公司生产。其核心电气参数包括40V的漏源电压（VDSS）和6A的连续漏极电流（ID）额定值，为中等功率应用提供了可靠的电压与电流处理能力。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（RDS(on)）低至42毫欧（@6A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（22nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统效率。其2.6V的最大栅极阈值电压确保了与常见低压逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动设计。
基本参数：
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