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AO4443是一款采用表面贴装8-SOIC封装的P沟道功率MOSFET，由AOS公司生产。其核心电气参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和6A的连续漏极电流（I_D）额定值，为中等功率应用提供了可靠的电压与电流处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）低至42毫欧（@6A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（22nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统效率。其2.6V的最大栅极阈值电压确保了与常见低压逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动设计。

• 型号:AO4443
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1175 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4443，AOS产品一站式供应商。