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AOSD21313C是一款采用8-SOIC封装的双P沟道MOSFET阵列，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，漏源电压（V_DSS）为30V，在环境温度下连续漏极电流（I_D）可达5.7A，适用于中低压、中电流的功率开关应用。

其核心优势在于优异的导通特性与开关性能。在V_GS=10V条件下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至32毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大值33nC @10V）和输入电容（C_iss）优化了开关动态性能，减少了驱动损耗，便于实现高效、快速的开关控制。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），采用表面贴装封装，适合高密度PCB布局。

• 型号:AOSD21313C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AOSD21313C，AOS产品一站式供应商。