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AO4576 零件图片(仅供参考)

AO4576
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AO4576 规格参数

AO4576是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在低电压、大电流应用中的优势地位:30V的漏源电压(Vdss)与20A的连续漏极电流(Id)能力,使其能够胜任主流低压功率系统的开关任务。

该器件的核心卖点在于其极低的导通损耗与优异的开关特性。在10V栅极驱动下,其导通电阻(Rds(on))最大值仅为5.8毫欧,配合最大22.5nC的栅极电荷(Qg),共同确保了高效率与快速的开关响应。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等应用的理想解决方案,能够在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。

  • 型号:AO4576
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):951 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
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AO4576 基本参数:

  • 电子零件型号:AO4576
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AO4576的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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