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AOD508是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3毫欧 @ 10V, 20A）与栅极电荷（最大值49nC @ 10V），这共同确保了器件在高频开关应用中兼具低导通损耗与低开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，具备卓越的电流承载能力，在壳温条件下连续漏极电流高达70A，最大功率耗散达50W。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）与±20V的栅源电压耐受能力，进一步保证了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性，是同步整流、DC-DC转换及电机驱动等应用的优选功率开关解决方案。

• 型号:AOD508
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2010 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD508，AOS产品一站式供应商。