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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD508是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3毫欧 @ 10V, 20A）与栅极电荷（最大值49nC @ 10V），这共同确保了器件在高频开关应用中兼具低导通损耗与低开关损耗，从而提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压为30V，具备卓越的电流承载能力，在壳温条件下连续漏极电流高达70A，最大功率耗散达50W。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）与±20V的栅源电压耐受能力，进一步保证了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性，是同步整流、DC-DC转换及电机驱动等应用的优选功率开关解决方案。
制造商产品型号：AOD508制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：49nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD508，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD508
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD508的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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