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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO7412是AOS推出的一款N沟道MOSFET,采用SC-70-6表面贴装封装。其核心优势在于优异的电气性能平衡:具备30V的漏源击穿电压和1.7A的连续漏极电流能力,同时实现了低至90毫欧(@10V Vgs)的导通电阻,有效降低了导通损耗。
该器件特别注重开关性能与驱动便利性,其最大栅极电荷仅为3.6nC,有利于实现高速开关并降低驱动损耗。此外,其栅极阈值电压最大为1.8V,且能在2.5V的低驱动电压下良好工作,使其可直接由常见的低压逻辑电平(如3.3V/5V MCU)高效驱动,简化了系统设计。宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

基本参数:
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