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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF11C60 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。该器件核心规格为 600V 漏源电压（Vdss）和 11A 连续漏极电流（Id），具备处理高压大电流的能力，适用于严苛的功率开关环境。
其关键性能参数包括：在 Vgs=10V、Id=5.5A 条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 400 毫欧，有助于降低导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值仅为 42nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在追求高效率的电源和电机驱动设计中成为可靠的选择。
基本参数：
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