AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW125A60是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的高连续漏极电流（Id）能力，能够处理可观的功率等级。
其技术亮点包括125毫欧的低导通电阻（Rds(on)），有助于显著降低导通损耗，提升能效。同时，39nC的低栅极电荷（Qg）优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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