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AOW125A60是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的高连续漏极电流（Id）能力，能够处理可观的功率等级。

其技术亮点包括125毫欧的低导通电阻（Rds(on)），有助于显著降低导通损耗，提升能效。同时，39nC的低栅极电荷（Qg）优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AOW125A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2993 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW125A60，AOS产品一站式供应商。