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零件图片（仅供参考）
AOTF22N50L
规格参数

AOTF22N50L 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压和22A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

器件的关键优势在于其低导通电阻，在10V Vgs、11A Id条件下典型值仅为260毫欧，能有效降低功率损耗。同时，其栅极电荷较低，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换系统的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOTF22N50L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：83nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3710pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：39W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF22N50L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF22N50L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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