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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6816是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用共漏极配置和逻辑电平门设计。其核心优势在于极低的导通电阻（6.2毫欧 @ 10V）和栅极电荷（45nC @ 10V），这共同实现了高效率与低开关损耗的平衡，特别适合高频开关电源应用。
该器件额定值为30V漏源电压和17A连续漏极电流，采用热增强型PowerSMD封装，确保在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。其2.2V的最大栅极阈值电压使其可直接由标准逻辑电路驱动，简化了系统设计，是空间紧凑型高功率密度解决方案的优选元件。
基本参数：
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