AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4485_102 是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心参数包括40V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），其突出优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和10A Id条件下典型值仅为15毫欧，能显著降低功率损耗，提升系统效率。
器件具备良好的栅极驱动特性，栅源电压（Vgs）范围达±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大2.5V，易于驱动。其动态参数如栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，支持中等频率的开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于负载开关、电源管理和电机控制等应用。
基本参数：
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