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AOD600A70 是 AOS 公司基于 aMOS5 技术制造的一款 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。其核心优势在于高达 700V 的漏源击穿电压 (Vdss) 与 8.5A 连续漏极电流处理能力的结合，同时保持了较低的导通电阻（600mΩ @ 10V）和栅极电荷，这有助于在高频开关电源应用中实现高效率与低损耗。

该器件设计用于表面贴装，工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，最大功率耗散为 104W，确保了在高功率密度应用中的热可靠性。其电气参数，如 10V 的标准驱动电压和 ±20V 的栅源电压耐受范围，使其易于集成并稳定工作于各种高压功率转换拓扑中。

• 型号:AOD600A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD600A70，AOS产品一站式供应商。