AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD600A70 是 AOS 公司基于 aMOS5 技术制造的一款 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。其核心优势在于高达 700V 的漏源击穿电压 (Vdss) 与 8.5A 连续漏极电流处理能力的结合，同时保持了较低的导通电阻（600mΩ @ 10V）和栅极电荷，这有助于在高频开关电源应用中实现高效率与低损耗。
该器件设计用于表面贴装，工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，最大功率耗散为 104W，确保了在高功率密度应用中的热可靠性。其电气参数，如 10V 的标准驱动电压和 ±20V 的栅源电压耐受范围，使其易于集成并稳定工作于各种高压功率转换拓扑中。
基本参数：
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