AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6362FD 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心卖点在于极低的导通电阻（5.2mΩ @ 20A, 10V）与优化的栅极电荷（13nC @ 10V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡，显著提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可支持高达60A的连续漏极电流和31W的功率耗散，具备强大的电流处理与散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，使其成为工业控制、通信电源和消费电子中高端电源转换方案的理想选择。
基本参数：
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