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AOK10N90是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-247通孔封装。其核心特性在于900V的高漏源耐压与10A的连续电流处理能力，为高压功率转换应用提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其较低的栅极电荷有利于实现高速开关，提升系统频率与效率。宽工作结温范围（-55°C至150°C）和高达403W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的长期运行可靠性。

• 型号:AOK10N90
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:403W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• AOK10N90，AOS产品一站式供应商。