AOD2N100M（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD2N100M是AOS公司推出的一款采用TO-252（DPAK）封装的N沟道功率MOSFET。作为一款金属氧化物半导体场效应晶体管，它专为要求高效功率切换的应用而设计。

该器件的核心价值在于其优化的封装与开关特性。TO-252封装在提供紧凑安装尺寸的同时，确保了良好的热传导性能，有助于系统散热。其N沟道设计适用于常见的开关控制逻辑，旨在实现快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升整体能效。

虽然具体电气参数如漏源电压和导通电阻未在基础信息中详列，但该型号定位服务于需要可靠中功率处理的场景，例如电源转换和电机驱动，是此类电路设计中实现高效功率管理的潜在选择之一。

制造商产品型号：AOD2N100M

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOD2N100M，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD2N100M

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD2N100M的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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