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零件图片（仅供参考）
AO3407L
规格参数

AO3407L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心优势在于在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能：30V的漏源电压（Vdss）和4.1A的连续漏极电流（Id）提供了可靠的功率处理能力。

该器件在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为52毫欧，有效降低了导通损耗。其低至3V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）和18nC的最大栅极电荷（Qg），使其易于被标准逻辑电平驱动并实现快速开关，非常适合高效率的电源管理和负载开关应用。

  • 制造商产品型号：AO3407L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 4.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：840pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3407L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3407L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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