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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7702B是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其SRFET产品系列。该器件采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续承载13.5A电流，管壳温度下电流能力更高达20A。
其核心优势在于极低的功率损耗，导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs下最大值仅为9.5毫欧。同时，其开关性能出色，最大栅极电荷（Qg）低至24nC，阈值电压最大值为2.5V，这共同确保了高效、快速的开关操作。器件集成了体二极管，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率和可靠性的功率转换场景。
基本参数：
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