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AON7702B是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其SRFET产品系列。该器件采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续承载13.5A电流，管壳温度下电流能力更高达20A。

其核心优势在于极低的功率损耗，导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs下最大值仅为9.5毫欧。同时，其开关性能出色，最大栅极电荷（Qg）低至24nC，阈值电压最大值为2.5V，这共同确保了高效、快速的开关操作。器件集成了体二极管，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率和可靠性的功率转换场景。

• 型号:AON7702B
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/20A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7702B，AOS产品一站式供应商。