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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7401_101是一款30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）封装，专为高效率、高密度电源管理应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（14mΩ @ 9A, 10V）和较低的栅极电荷（39nC @ 10V），这共同实现了优异的开关性能与功率转换效率。
该器件提供高达12A（Ta）/35A（Tc）的连续漏极电流能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其3V的最大栅极阈值电压使其能与标准逻辑电平直接接口，简化了驱动电路设计。这些特性使其成为负载开关、DC-DC转换和电池管理系统的理想选择。
基本参数：
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