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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3613是一款集成N沟道与P沟道MOSFET的共漏阵列，采用8-DFN表面贴装封装。其设计针对逻辑电平驱动进行了优化，最大栅极阈值电压仅为1.5V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了接口电路。
该器件的关键电气参数表现出色，在10V Vgs下导通电阻低至52毫欧，最大连续漏极电流达4.5A，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为10nC，输入电容（Ciss）最大值为245pF，确保了快速的开关响应和较低的高频驱动损耗。30V的漏源电压（Vdss）和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，使其能够稳定应对多种中低功率切换场景的挑战。
基本参数：
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