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零件图片（仅供参考）
AO3416L_102
规格参数

AO3416L_102是一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为低压大电流开关应用而优化。其核心卖点在于在紧凑的封装内实现了高达6.5A的连续漏极电流和仅20V的漏源电压，同时具备极低的导通电阻，在4.5V驱动下Rds(on)最大值仅为22毫欧，能显著降低导通损耗。

该器件兼容低电压逻辑驱动，栅极阈值电压低至1V，可在1.8V驱动电压下有效工作，便于与微控制器直接连接。其栅极电荷低至16nC，支持快速开关频率。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于空间受限的高效率电源管理方案。

  • 制造商产品型号：AO3416L_102
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 6.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1160pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3416L_102
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3416L_102的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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