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零件图片(仅供参考)
AON7262E
规格参数

AON7262E是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用热增强型8-DFN-EP(3x3)表面贴装封装,在紧凑的体积内提供了优异的电气与热性能。

其核心电气参数定义了卓越的性能表现:60V的漏源电压(Vdss)和高达34A(Tc)的连续漏极电流处理能力,确保了在中等功率应用中的稳健性。关键优势在于其极低的导通电阻,典型值仅为6.2毫欧(@10V,20A),以及仅45nC的低栅极电荷,这共同实现了高效率与快速开关的完美结合,能显著降低系统的导通与开关损耗。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号:AON7262E
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaSGT
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Ta),34A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):45nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 30V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):5W(Ta),43W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7262E
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7262E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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