AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT430是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气特性包括75V的漏源电压（Vdss）额定值和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用。
该器件的关键优势在于其低导通损耗，其最大导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、30A Id条件下仅为11.5毫欧。同时，114nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为268W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
基本参数：
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