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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4202L是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡,在10V Vgs、19A Id条件下提供仅5.3毫欧(最大值)的低导通电阻,显著降低功率损耗。
该器件具备30V的漏源电压(Vdss)和19A(Ta)的连续漏极电流能力,栅极电荷(Qg)低至35nC(最大值),有利于实现高效率和高频开关操作。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于对可靠性和温度适应性有要求的各类电源管理和电机控制应用。

基本参数:

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