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AON4605_002是AOS公司推出的一款集成了N沟道和P沟道MOSFET的半导体器件，采用DFN封装。其核心卖点在于将互补的MOSFET对集成于单一紧凑封装内，为电路设计提供了高集成度的解决方案，有效节省了PCB空间并简化了布局。

该器件额定漏源电压为30V，适用于常见的低压功率管理场景。其DFN封装不仅有助于实现小型化，还提供了优良的热传导性能，确保器件在持续功率耗散下的可靠性。这款芯片主要面向需要高效、紧凑功率切换的应用，如DC-DC转换器和电机驱动电路。

• 制造商产品型号：AON4605_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N/P-CH 30V DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AON4605_002，AOS产品一站式供应商。