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AOWF25S65是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于aMOS产品系列，采用TO-262F通孔封装。该器件核心参数为650V漏源电压（Vdss）和25A连续漏极电流，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关特性与低导通损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为190毫欧 @ 12.5A，同时栅极电荷最大值被控制在26.4nC，这有助于提升开关电源的转换效率并降低热耗散。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在各种环境下的稳定工作。

• 型号:AOWF25S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1278 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF25S65，AOS产品一站式供应商。