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零件图片（仅供参考）
AOWF25S65
规格参数

AOWF25S65是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于aMOS产品系列，采用TO-262F通孔封装。该器件核心参数为650V漏源电压（Vdss）和25A连续漏极电流，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关特性与低导通损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为190毫欧 @ 12.5A，同时栅极电荷最大值被控制在26.4nC，这有助于提升开关电源的转换效率并降低热耗散。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在各种环境下的稳定工作。

  • 制造商产品型号：AOWF25S65
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 12.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1278pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：-
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOWF25S65
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOWF25S65的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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