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零件图片(仅供参考)
AO4832
规格参数

AO4832是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的MOSFET,每个通道在25°C下可支持高达10A的连续漏极电流,并具备30V的漏源电压额定值,适用于中低压功率路径设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10A、10V条件下,导通电阻最大值仅为13毫欧,有助于最小化导通损耗。同时,其栅极特性经过优化,最大栅极阈值电压为2.5V,可兼容3.3V/5V逻辑直接驱动;最大栅极电荷低至17nC,配合910pF的输入电容,确保了快速开关响应和低驱动损耗,非常适合高频开关电源和电机驱动应用。

  • 制造商产品型号:AO4832
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):910pF @ 15V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AO4832
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4832的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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