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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4832是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的MOSFET,每个通道在25°C下可支持高达10A的连续漏极电流,并具备30V的漏源电压额定值,适用于中低压功率路径设计。
其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10A、10V条件下,导通电阻最大值仅为13毫欧,有助于最小化导通损耗。同时,其栅极特性经过优化,最大栅极阈值电压为2.5V,可兼容3.3V/5V逻辑直接驱动;最大栅极电荷低至17nC,配合910pF的输入电容,确保了快速开关响应和低驱动损耗,非常适合高频开关电源和电机驱动应用。

基本参数:
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