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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON3414是一款由AOS制造的N沟道MOSFET,采用8-DFN紧凑型表面贴装封装。其核心卖点在于优异的电气性能组合:30V的漏源电压(Vdss)和10.5A的连续漏极电流(Id)提供了稳健的功率处理能力。
该器件在10V Vgs下导通电阻(Rds(On))最大值仅为17毫欧,结合低至25nC的栅极电荷(Qg),实现了低导通损耗与高开关效率的平衡。其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)确保了在苛刻环境下的可靠性,使其成为高效率DC-DC转换、电机驱动和负载管理等应用的优选功率开关解决方案。

基本参数:
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