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零件图片(仅供参考)
AO4447AL_104
规格参数

AO4447AL_104是一款由AOS制造的30V、18.5A P沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和18.5A Id条件下,Rds(On)最大值仅为5.8毫欧,能显著降低功率传导损耗,提升系统效率。

该器件具备良好的开关特性,最大栅极电荷为130nC @ 10V,支持快速的开关速度。其2.2V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动,简化了电路设计。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)确保了其在各种环境条件下的可靠性。该器件适用于空间受限、要求高效率的电源管理应用,如负载开关、DC-DC转换及电机控制等。请注意,此型号目前已停产。

  • 制造商产品型号:AO4447AL_104
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.8 毫欧 @ 18.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):130nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5020pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AO4447AL_104
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4447AL_104的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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