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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4447AL_104是一款由AOS制造的30V、18.5A P沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和18.5A Id条件下,Rds(On)最大值仅为5.8毫欧,能显著降低功率传导损耗,提升系统效率。
该器件具备良好的开关特性,最大栅极电荷为130nC @ 10V,支持快速的开关速度。其2.2V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动,简化了电路设计。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)确保了其在各种环境条件下的可靠性。该器件适用于空间受限、要求高效率的电源管理应用,如负载开关、DC-DC转换及电机控制等。请注意,此型号目前已停产。

基本参数:

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