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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT8N65是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220封装，专为要求高效率和可靠性的功率转换应用而设计。其核心优势在于650V的高漏源耐压和8A的连续电流处理能力，为应对严苛的电压和电流条件提供了坚实基础。
该器件通过优化技术实现了低至1.15欧姆的导通电阻（@10V Vgs, 4A Id），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其28nC的较低栅极电荷有助于提升开关速度并减少驱动损耗。结合208W的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，AOT8N65确保了在各类工业与消费电子电源系统中的稳定、高效运行。
基本参数：
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