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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4813_002是AOS公司生产的一款双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件专为高效功率开关应用设计，其核心优势在于低导通电阻（25毫欧 @ 7A，10V）与低栅极电荷（19nC @ 10V）的出色结合，这有助于显著降低导通损耗并提升开关频率下的效率。
该MOSFET具备30V的漏源电压和7.1A的连续漏极电流能力，适用于中低功率的电源管理场景。其2.5V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动设计。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够应对严苛的环境要求，满足工业级应用的可靠性标准。
基本参数：
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