AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6408是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心设计针对低电压、高电流开关应用进行了优化，关键参数包括20V的漏源电压（Vdss）和8.8A的连续漏极电流（Id）处理能力。
该器件的显著优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为18毫欧，这有助于显著降低功率传导损耗。同时，其具备较低的栅极驱动需求，栅极阈值电压最大1V，且兼容低至1.8V的逻辑电平驱动，便于与微控制器直接接口。这些特性使其成为空间受限且追求高效率的电源转换与功率管理应用的理想选择。
基本参数：
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