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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7466是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP封装,专为高效能电源转换设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss),在管壳温度下支持高达30A的连续漏极电流,并具备极低的导通电阻,典型值仅为7.5毫欧 @ 20A, 10V,能显著降低导通损耗。
该器件同时具备优异的开关性能,其栅极电荷(Qg)最大值仅为30nC,有助于实现高速开关并降低开关损耗。其宽泛的工作结温范围(-50°C ~ 150°C)和强大的功率耗散能力(Tc下25W)确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用的优选功率开关解决方案。

基本参数:

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