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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF4N90是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Tc），为高压应用提供了坚实的耐压基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。在10V驱动下，其最大导通电阻仅为3.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，22nC的低栅极电荷（Qg）与880pF的输入电容（Ciss）相结合，确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源的工作频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和37W的功率处理能力，进一步保障了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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