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AO3413L_101是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数针对低电压、高效率的开关应用进行了优化，具备20V的漏源击穿电压和3A的连续漏极电流能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与易驱动性的结合。在4.5V栅极电压下，其导通电阻最大值仅为97毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其低至1.8V的推荐驱动电压和仅6.1nC的栅极电荷，使其能够被标准的3.3V或更低电压的逻辑电路直接、高效地驱动，简化了系统设计并提升了开关性能。

• 制造商产品型号：AO3413L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：97 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3413L_101，AOS产品一站式供应商。