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零件图片（仅供参考）
AO3413L_101
规格参数

AO3413L_101是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数针对低电压、高效率的开关应用进行了优化，具备20V的漏源击穿电压和3A的连续漏极电流能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与易驱动性的结合。在4.5V栅极电压下，其导通电阻最大值仅为97毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其低至1.8V的推荐驱动电压和仅6.1nC的栅极电荷，使其能够被标准的3.3V或更低电压的逻辑电路直接、高效地驱动，简化了系统设计并提升了开关性能。

  • 制造商产品型号：AO3413L_101
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：97 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3413L_101
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3413L_101的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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