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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4402G是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效能、高密度电源解决方案设计。其核心优势在于20V漏源电压和20A连续漏极电流的额定能力下，实现了极低的导通电阻（典型值5.9mΩ @ 20A, 4.5V），这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。
该器件具备优异的开关特性，其低栅极电荷（45nC @ 4.5V）和兼容逻辑电平的驱动电压（2.5V - 4.5V），确保了快速开关响应并简化了驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和稳健的电气规格（如±12V Vgs），使其能够适应从消费电子到工业控制等多种严苛环境下的应用需求。
基本参数：
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