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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI514是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，专为高效能低压应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下仅5.9毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，同时具备18nC的低栅极电荷，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。
该器件额定漏源电压为30V，提供高达46A（Tc）的连续电流承载能力，最大功率耗散为50W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动和负载管理等应用的可靠解决方案。
制造商产品型号：AOI514制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.9 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1187pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI514，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI514
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI514的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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