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AOI514是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，专为高效能低压应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下仅5.9毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，同时具备18nC的低栅极电荷，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。

该器件额定漏源电压为30V，提供高达46A（Tc）的连续电流承载能力，最大功率耗散为50W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动和负载管理等应用的可靠解决方案。

• 型号:AOI514
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1187 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI514，AOS产品一站式供应商。