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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF600A60 是 AOS 基于 aMOS5 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262F 通孔封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压（VDSS）和 25°C 下 8A 的连续漏极电流（ID）额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键性能优势体现在其低导通电阻（RDS(on) 最大值 600mΩ @ 2.1A, 10V）与低栅极电荷（Qg 最大值 11.5nC @ 10V），这共同实现了更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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