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AOWF600A60 是 AOS 基于 aMOS5 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262F 通孔封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压（V_DSS）和 25°C 下 8A 的连续漏极电流（I_D）额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键性能优势体现在其低导通电阻（R_DS(on) 最大值 600mΩ @ 2.1A, 10V）与低栅极电荷（Q_g 最大值 11.5nC @ 10V），这共同实现了更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:AOWF600A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:23W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF600A60，AOS产品一站式供应商。