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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB20C60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高压、大电流开关应用而设计。其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温25°C下20A的连续漏极电流处理能力，为功率转换系统提供了坚实的电压和电流基础。
该器件的显著优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧（@10A），这能显著降低功率传输过程中的传导损耗。同时，其最大74nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于优化开关性能，平衡开关速度与驱动损耗。这些特性使其非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式电源、PFC电路及电机驱动等应用场景。
基本参数：
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