AO4306是AOS推出的一款N沟道MOSFET,采用8引脚SOIC封装。其核心电气规格为漏源电压30V(Vdss)和连续漏极电流13A(Id),这一定位使其成为低压、大电流功率路径管理的理想选择。
该器件旨在实现低导通损耗与良好的开关性能,其封装形式兼顾了PCB占板面积与散热需求。它适用于需要高效功率切换的各种应用,为电源设计提供了可靠的半导体解决方案。
- 型号:AO4306
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.5 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):760 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
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