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零件图片（仅供参考）
AO4446
规格参数

AO4446是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)和15A的连续漏极电流(Id)，能够在宽温范围内提供可靠的功率处理能力。

该器件的突出特点是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动下，Rds(On)最大值仅为8.5毫欧，这显著降低了功率传导损耗。同时，其最大栅极电荷(Qg)为40nC，有助于实现高效的开关操作，适用于各种电源转换和电机控制应用。

  • 制造商产品型号：AO4446
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4446
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4446的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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