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AO4268是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术，封装于8-SOIC。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了可靠的性能基础。

该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至4.8毫欧（最大值），同时栅极总电荷（Qg）也保持在较低的65nC水平。这种低Rds(on)与低Qg的组合，有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:AO4268
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4268，AOS产品一站式供应商。