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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4268是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术，封装于8-SOIC。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了可靠的性能基础。
该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至4.8毫欧（最大值），同时栅极总电荷（Qg）也保持在较低的65nC水平。这种低Rds(on)与低Qg的组合，有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。
制造商产品型号：AO4268制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：AlphaSGT零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 19A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2500pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOICAO4268，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO4268
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO4268的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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