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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6416是AOS公司基于SDMOS技术推出的一款N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，主要面向需要高效率功率切换的应用。其核心电气参数表现突出，具备30V的漏源击穿电压，并在10V Vgs驱动下提供低至8毫欧的导通电阻，同时连续漏极电流能力高达22A（Tc），确保了在开关和导通状态下均能实现较低的功率损耗。
该器件设计注重开关性能与驱动便利性，最大栅极电荷仅为28nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路负担。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与±20V的栅源电压耐受能力，进一步增强了其在工业及消费电子等多样化应用场景中的可靠性。
基本参数：
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