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AON6416是AOS公司基于SDMOS技术推出的一款N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，主要面向需要高效率功率切换的应用。其核心电气参数表现突出，具备30V的漏源击穿电压，并在10V Vgs驱动下提供低至8毫欧的导通电阻，同时连续漏极电流能力高达22A（Tc），确保了在开关和导通状态下均能实现较低的功率损耗。

该器件设计注重开关性能与驱动便利性，最大栅极电荷仅为28nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路负担。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与±20V的栅源电压耐受能力，进一步增强了其在工业及消费电子等多样化应用场景中的可靠性。

• 型号:AON6416
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/22A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1430 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6416，AOS产品一站式供应商。