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AOT600A70L是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心优势在于高达700V的漏源电压和8.5A的连续电流处理能力，为高压侧开关操作提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了低至600毫欧的导通电阻（@10V Vgs）和仅15.5nC的栅极电荷，这显著降低了导通与开关损耗，有助于提升系统整体效率并支持更高频率的开关操作。其TO-220封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了良好的散热适应性与环境鲁棒性。

• 型号:AOT600A70L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT600A70L，AOS产品一站式供应商。