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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONV210A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，提供600V的漏源电压额定值。该器件在导通电阻与开关性能上取得了出色平衡，其最大导通电阻仅为210毫欧（@10V，7.6A），同时栅极电荷低至34nC，这有助于实现高效率与高频率的功率转换。
该MOSFET提供4.1A（Ta）和20A（Tc）的连续漏极电流能力，并采用热增强型4-DFN-EP表面贴装封装，支持高达208W（Tc）的功率耗散。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压容限，确保了其在工业级电源、电机控制和照明驱动等应用中的高可靠性与稳健性。
基本参数：
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