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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT262L 是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气参数定义了强大的性能基础：60V的漏源电压（Vdss）提供了良好的电压耐受性；在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至3毫欧（@20A），有效降低了导通损耗。
该器件具备出色的电流处理能力，在管壳温度（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达140A，峰值功率处理性能显著。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和功率分配应用的理想选择。
基本参数：
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