我们为全球各个行业提供AOS AO4840L_102现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4840L_102是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道MOSFET阵列。每个通道额定值为40V漏源电压和6A连续漏极电流，在10V Vgs驱动下导通电阻典型值低至31毫欧，有效降低了功率损耗。

该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷仅为8.3nC，输入电容为404pF，有利于实现高频开关操作。3V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源管理应用。

• 制造商产品型号：AO4840L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.3nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：404pF @ 20V
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• AO4840L_102，AOS产品一站式供应商。