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AOT12N65_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于650V的高压耐受能力和12A的连续电流处理能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化设计实现了优异的电气性能，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为720毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（48nC）确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关电源等应用的效率和工作频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在各种环境条件下的可靠性。

• 制造商产品型号：AOT12N65_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 12A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：720 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：48nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2150pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• AOT12N65_001，AOS产品一站式供应商。